岗位信息
岗位总述：
本岗位主要负责为非易失磁存储芯片（MRAM）设计高性能、高可靠的读写和逻辑控制电路，外围数字电路模块及通信接口模块。MRAM的制造涉及新兴微纳器件及非标准集成工艺，需要电路开发人员与器件工艺研发人员协同合作，以全定制的方式完成电路设计和芯片制造。
工作职责：
1. 负责MRAM存储芯片的Top设计，混合仿真、功能检查、仿真效率优化。
2. 负责MRAM IP设计，包含可靠性、功耗等分析。
3. 负责MRAM的架构设计，包含电源、时钟等其他模块。
4. 保持与器件工艺研发人员的紧密协同，共同完成MRAM芯片设计流片及回片后测试验证。
任职资格：
1. 通信、电子工程、微电子等相关专业硕士及以上学历，3年以上IC设计经验。
2. 有SRAM/DRAM等存储器研发/量产经验者优先，有管理团队经验者优先。
3. 熟练使用集成电路仿真与测试工具，熟悉数模混合设计与仿真流程。
4. 工作责任感强，具备良好的沟通能力和团队合作意识。
其他要求：
职位性质：全职
资历要求：3年以上IC行业从业经验，2年以上一线研发经验，曾任职IC设计高级工程师或资深工程师，有管理研发团队经验者优先。
