岗位信息
岗位职责:
1、负责SiC单晶生长工艺和热场等研发;
2、负责SiC单晶生产工艺路线的持续优化改进;
3、负责SiC单晶的各类缺陷研究,并提出有效的解决方案;
4、负责研发及生产过程所需设备、物料等的选型;
5、负责技术专利的撰写与发表;
6、协助部门主管完成相关技术指标的提升,以及培养部门工程师相关专业知识;
任职资格:
1、硕士以上学历,凝聚态物理、半导体物理、材料、物理、微电子等相关理工专业;
2、3年及以上SiC晶体生长、加工相关工作经验,熟悉SiC晶体等相关材料生长方法及其原理,了解半导体材料相关生长设备,熟练晶体材料表征方法以及半导体材料缺陷分析;熟悉晶体生长设备的基本操作;
3、具有较强的实验数据分析能力和文件撰写能力,数据统计分析并总结规律;
4、具有专利撰写与期刊文献检索能力。